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[发明专利]一种GIS环氧绝缘内部缺陷超声检测方法及系统-CN201910509272.7在审
发明人：郝艳捧;田方园;邹舟诣奥;郑尧;何伟明;阳林;李立浧 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： G01N29/04 文献下载
摘要：本发明属于输变电绝缘设备技术领域，涉及一种GIS环氧绝缘内部缺陷超声检测方法及系统。GIS环氧绝缘内部缺陷超声检测方法包括：搭建GIS环氧绝缘内部缺陷超声检测系统；基于超声检测系统检测标准件，获取标准件无缺陷的反射波波形；基于超声检测系统检测GIS环氧绝缘，采用缺陷评判方法对环氧绝缘内部气泡和裂纹进行评判，然后，沿探头移动路径继续对GIS环氧绝缘进行检测；该方法检测精度和效率高、缺陷定位准确，可检测到小尺寸气泡和裂纹，可用于绝缘子的出厂检测，也可用于绝缘子的装配现场检测。环氧绝缘内部缺陷超声检测系统包括：超声仪、示波器、超声纵波直探头、计算机和GIS环氧绝缘；该系统成本低、设备体积小、检测精度和效率高、缺陷定位准确。
环氧绝缘内部缺陷超声检测系统超声检测检测绝缘子标准件缺陷定位可用评判反射波波形小尺寸气泡超声纵波出厂检测绝缘设备探头移动系统成本现场检测超声仪可检测示波器输变电体积小直探头装配计算机

[发明专利]一种原位生成Bi单质协同氧缺陷的硫酸氧铋光催化剂-CN202211395664.3在审
发明人：耿芹;谢洪涛;于洋洋;邓邦为;盛剑平;孙艳娟;董帆 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B01J27/053 文献下载
摘要：本发明属于光催化技术领域，公开了一种原位生成Bi单质协同氧缺陷的硫酸氧铋光催化剂，原位生成Bi单质协同氧缺陷的硫酸氧铋光催化剂是由含硫化合物与含铋硝酸盐混合后经固相研磨退火，再原位还原而成，由Bi单质、氧缺陷和硫酸氧铋三相构成。本发明的催化剂应用于光催化去除氮氧化物；Bi单质协同氧缺陷的硫酸氧铋的成功构建，有效利用Bi金属的SPR效应，提高了纯相硫酸氧铋的光催化性能，氧缺陷不仅诱导了中间能级的形成，减小了带隙，还增强了硫酸氧铋对可见光的吸收能力，促进了载流子分离；以硼氢化钠为还原剂原位制备了Bi等离子体协同氧缺陷的硫酸氧铋，条件温和，反应简单。相对于其他专利所报道的光催化剂而言，本发明的Bi单质协同氧缺陷的硫酸氧铋光催化剂，反应条件更加温和，性能优异。
一种原位生成 bi 单质协同缺陷硫酸光催化剂

[发明专利]内置式环氧缺陷声检测模拟装置-CN202310507660.8在审
发明人：李洪涛;马径坦;赵科;高山;杨景刚;孙蓉;刘建军;李玉杰;肖焓艳;庄添鑫;尹泽;徐阳;张照辉;秦剑华;陈阳 -专利权人：江苏省电力试验研究院有限公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院;国网江苏省电力有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种内置式环氧缺陷声检测模拟装置，包括GIL管母、环氧缺陷模拟结构和声传感器，所述GIL管母包括外壳、位于外壳内中心轴线位置上的高压导杆、以及连接在外壳内壁与高压导杆之间的盆式绝缘子，所述环氧缺陷模拟结构的两端分别连接高压导杆和外壳内壁，用于模拟环氧缺陷局部放电，所述声传感器固定于外壳上且位于所述环氧缺陷模拟结构附近。本发明可以实现模拟环氧缺陷声信号检测和获取。
内置式环氧缺陷检测模拟装置

[发明专利]栅氧层缺陷检测方法及器件失效定位方法-CN201510144171.6在审
发明人：范荣伟;陈宏璘;龙吟;顾晓芳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种栅氧层缺陷检测方法及器件失效定位方法，在半导体衬底上形成栅氧层之后包括：以栅氧层为阻挡层对半导体衬底进行湿法刻蚀工艺；湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀药液对半导体衬底的刻蚀速率大于对栅氧层的刻蚀速率；检测半导体衬底受到刻蚀药液的腐蚀所产生的损失；基于半导体衬底的损失来分析栅氧层的缺陷。通过检测出半导体衬底的损耗缺陷来分析栅氧层的缺陷，实现了对栅氧层缺陷和器件漏电的准确和实时监测，及时发现漏电问题，克服了现有的发现缺陷问题滞后以及难以检测的问题，并且节约了时间和成本。
栅氧层缺陷检测方法器件失效定位

[发明专利]氧缺陷型氧化VIB族元素量子点作为电化学发光反应共反应剂的应用-CN202010498652.8有效
发明人：沈艳飞;杨二利;潘登 -专利权人：东南大学
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧缺陷型氧化VIB族元素量子点作为电化学发光反应共反应剂的应用，具体是三联吡啶钌作为电化学发光试剂，氧缺陷型氧化钨量子点或者氧缺陷型氧化钼量子点能够作为其共反应剂。本发明提供了氧缺陷型氧化VIB族元素量子点材料作为电化学发光反应共反应剂的新应用，作为电化学发光共反应剂如氧缺陷型氧化钨量子点或者氧缺陷型氧化钼量子点材料具有毒性低、污染小、电化学发光强度高等优势，并且具有制备过程简易本发明还公开了一种电化学发光体系，包括氧缺陷型氧化VIB族元素量子点作为电化学发光反应的共反应剂，三联吡啶钌作为电化学发光试剂。
缺陷氧化 vib 元素量子作为电化学发光反应应用

[发明专利]制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法-CN200810204676.7无效
发明人：欧欣;张苗;王曦 -专利权人：上海新傲科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2008-12-16 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法，包括如下步骤：提供单晶硅衬底；在单晶硅衬底中注入缺陷引入离子；在单晶硅衬底中注入氧离子；对注入缺陷引入离子和氧离子后的单晶硅衬底进行退火处理；所述注入缺陷引入离子的步骤在注入氧离子的步骤之前或者之后实施注入深度与缺陷引入离子的注入深度相同或靠近。本发明的优点在于，缺陷引入离子注入形成的微空洞可以俘获氧离子，提高绝缘埋层的完整性，从而降低形成连续埋层所需氧的注入剂量。降低由于二氧化硅形成过程中的体积膨胀所形成的应力和顶层硅中的缺陷。提高了氧从退火气氛向埋层的扩散效率，提高顶层硅与埋层之间的界面质量，提高埋层的抗击穿性能。
制作绝缘体材料隔离注入方法

[发明专利]一种单晶硅缺陷区域的检测方法及装置-CN201910758941.4在审
发明人：张婉婉;文英熙 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明涉及硅片加工领域，尤其涉及一种单晶硅缺陷区域的检测方法及装置。单晶硅缺陷区域的检测方法为：获取样品硅片沿直径方向上的多个测试位点的第一间隙氧浓度值；对所述样品硅片进行热处理，使间隙氧在空位型缺陷区域形核沉淀；获取所述样品硅片沿直径方向上的所述多个测试位点的第二间隙氧浓度值；计算得到每个所述测试位点第二间隙氧浓度值与第一间隙氧浓度值的差值；获取热处理后的样品硅片表面的缺陷区域形貌图；比较所述缺陷区域形貌图与所述测试位点的间隙氧浓度差值，确定所述样品硅片的空位型缺陷区域与间隙型缺陷区域的分布该方法能够检测单晶硅的缺陷区域的分布，简单快速，可用于反馈于硅锭生长工艺中以生产无缺陷单晶硅。
缺陷区域间隙氧单晶硅测试位点硅片空位型缺陷热处理检测形貌图无缺陷单晶硅硅片表面硅片加工硅锭可用形核沉淀反馈生长生产

[发明专利]一种辐照缺陷对腐蚀行为影响的模拟方法、系统及介质-CN202210933893.X在审
发明人：潘荣剑;覃检涛;信天缘;伍晓勇;吴璐;王青青;赵民;马聪;孔祥刚;滕常青;张伟;方忠强;毛建军;米俊峰;莫华均 -专利权人：中国核动力研究设计院
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种辐照缺陷对腐蚀行为影响的模拟方法，包括：模拟含和不含典型辐照缺陷的氧原子在不同间隙占位的含Nb锆合金结构；进行高通量筛选，筛选出能量最低的含典型辐照缺陷的氧原子在不同间隙占位的含Nb锆合金结构；对筛选出的所有能量最低的含典型辐照缺陷的氧原子在不同间隙占位的含Nb锆合金结构进行单点能计算；通过缺陷形成能公式计算每个能量最低的含典型辐照缺陷的氧原子在不同间隙占位的含Nb锆合金结构中的典型缺陷与氧原子的结合能；根据结合能结合由单点能得到的电子特性参数，模拟预测辐照缺陷对含Nb锆合金腐蚀行为的影响。本发明实施例解决了现有技术难以模拟辐照缺陷对含Nb锆合金的腐蚀行为的影响的技术问题。
一种辐照缺陷腐蚀行为影响模拟方法系统介质

[发明专利]一种富含表面氧缺陷的钼酸铋光催化材料及其制备方法-CN201810960702.2在审
发明人：付峰;申会东;薛文文;王丹军;闫龙;郭莉 -专利权人：延安大学
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： B01J23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种富含表面氧缺陷的钼酸铋光催化材料，包括钼酸铋光催化材料，该钼酸铋光催化材料的表面通过焙烧引入氧缺陷。本发明还公开了该富含表面氧缺陷的钼酸铋光催化材料的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1，制备钼酸铋基催化材料；步骤2，通过焙烧将氧缺陷引入步骤1得到的钼酸铋基催化材料的表面，制备得到富含表面氧缺陷的钼酸铋光催化材料
钼酸铋光催化材料表面氧富含制备焙烧催化材料氧缺陷可见光响应步骤实施催化活性制备工艺制备钼酸可控性引入纯钼酸铋铋基团聚

[发明专利]一种油气长输管道用钢质环氧套筒填充缺陷超声检测方法-CN202111273995.5在审
发明人：吴明畅;毛建;刘翼;郭磊;修林冉;李智文;刘勇;明连勋;王磊磊;李德明;沈飞军 -专利权人：国家石油天然气管网集团有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G01N29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种油气长输管道用钢质环氧套筒填充缺陷超声检测方法，其涉及管网运行组件检测技术领域，旨在解决钢质环氧套筒在现场施工过程中存在环氧填充不满缺陷，影响套筒修复效果的问题，其技术方案要点是其步骤如下：工具的选择，选择负方波激励的相控阵超声检测仪，选择相控阵换能器；缺陷的定位与定量，采用纵波直入射贴膜进行检测，缺陷的填补，根据图像标记区域大小制作钢质环氧套筒填充缺陷超声对比试块，检测成果，将检测正常后的超声对比试块放入缺陷处达到了缺陷快速精准定量定位、高精准度和方便检测的效果。
一种油气管道用钢质环氧套筒填充缺陷超声检测方法

[发明专利]一种硅片预处理方法-CN202211365442.7在审
发明人：张清明;时锋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供的硅片预处理方法，通过氮化处理，可在硅片表面形成一掺氮的改性层，可减少硅片表面的氧杂质含量并可抑制改性层中氧沉淀晶格缺陷的形成；通过退火处理，进一步使硅片表面的氧杂质脱离，并修复表面的晶格缺陷，最终得到表面氧杂质含量和氧沉淀晶格缺陷含量符合预期的硅片。因此，本发明提供的硅片预处理方法，可有效降低硅片表面氧杂质和氧沉淀晶格缺陷的含量，从而提高后续制程的良率。
一种硅片预处理方法

[发明专利]一种氧化硅薄膜中氧空位浓度的测量方法-CN201810003744.7在审
发明人：张光辉;董鹏;宋宇;杨萍;李沫;代刚;张健 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2018-01-03 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： G01N24/10 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化硅薄膜中氧空位浓度的测量方法，其原理是，首先向氧化硅薄膜样品中注入载流子，使中性氧空位缺陷变成带正电的氧空位缺陷；然后表征已知浓度的标准样品和氧化硅薄膜样品的电子顺磁共振谱；最后根据氧化硅薄膜样品与标准样品对微波吸收强度的对比，定量计算出氧化硅薄膜中氧空位缺陷的浓度。本发明测量方法简单，容易掌握，对于半导体器件氧化层中缺陷研究具有重要意义。
氧化硅薄膜氧空位缺陷标准样品测量氧空位载流子电子顺磁共振谱半导体器件定量计算空位缺陷缺陷研究微波吸收重要意义氧化层中性氧

[发明专利]一种在金红石型氧化钛（110）表面制备氧空位对缺陷的方法-CN202110338459.2有效
发明人：赵祥云;王昊晨;马志博;江凌 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C01G23/047 文献下载
摘要：本发明属于表面化学技术领域，是一种在超高真空腔体里制备氧空位对为优势缺陷的金红石型氧化钛(110)表面的技术方法。往常在超高真空环境下研究模型光催化剂金红石型氧化钛的还原性(110)表面时，表面主要的缺陷是氧空位。当两个氧空位相邻时，形成化学性质更加活泼的缺陷结构即为氧空位对。氧空位对的性质和催化性能对于厘清光催化的机理研究有重要意义，值得仔细探索。我们发现，使用266nm的紫外激光照射还原性氧化钛(110)表面可以使得氧空位迁移形成氧空位对，甚至可以形成氧空位对为优势缺陷的表面，有利于对氧空位对的性质性能展开深入研究。
一种金红石氧化 110 表面制备空位缺陷方法

[发明专利]含有晶格缺陷的双功能碳酸氧铋催化剂及其制备方法-CN201410606314.6有效
发明人：董帆;熊婷;孙艳娟;倪紫琳 -专利权人：重庆工商大学
申请日： 2014-10-27 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： B01J27/232 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种含有晶格缺陷的双功能碳酸氧铋催化剂及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：将纯相碳酸氧铋进行真空热处理，即得到含有晶格缺陷的双功能碳酸氧铋催化剂。本发明提供的含有晶格缺陷的碳酸氧铋催化剂具有常温催化作用和显著的可见光催化作用，实验结果表明本发明提供的含有晶格缺陷的双功能碳酸氧铋催化剂在常温可见光照射下对NO的去除率为40％～60％。本发明提供的制备方法，工艺简单，效果明显，在有效改善碳酸氧铋的光催化性能的同时使得碳酸氧铋具有常温催化性能。
含有晶格缺陷功能碳酸催化剂及其制备方法

[发明专利]高压环氧套管的性能检测方法-CN202110534515.X有效
发明人：刘志东;牟红波;张杰;刘志泉 -专利权人：青岛汉缆股份有限公司
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01N3/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种高压环氧套管的性能检测方法，属于电缆附件技术领域。该发明的具体步骤为：对高压环氧套管进行X光无损检测；如果环氧套管内部无缺陷，将高压环氧套管放入到高低温交变试验箱中，进行高低温冷热交变试验检测再进行X光无损检测；如果环氧套管内部无缺陷，对高压环氧套管进行抗压检测，再进行X光无损检测；如果环氧套管内部无缺陷，进行抗弯曲检测，再进行X光无损检测；如果环氧套管内部无缺陷，取少许高压环氧套管作为试样进行玻璃化转变温度测试，检测Tg值是否符合要求，如果环氧套管最终通过X
高压套管性能检测方法

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